Integrerade komponenter och kretsar (IDC)

Öppet Hus presentationer 27 maj, 2011

60 nm Si MOSFET framtagen av EKT inom NEMO-projektet,
klicka på bilden för att se ett tvärsnitt av en 45 nm MOSFET.

Halvledarkomponentfysik, kretsdesign, fysikalisk komponentmodellering och tillverkningsteknologi är våra forskningsfokus. De främsta tillämpningsområdena är kiselteknologi för hög frekvens, kolnanorör för elektroniska tillämpningar, biosensorer, samt kiselkarbid för switchning av höga effekter och i högtemperaturtillämpningar.

Våra fyra verksamhetsområden är:

• Kiselbaserade komponenter
• Fotoniska komponenter i III/V-material baserade på kvantbrunnar (VCSEL, detektorer, sensorer)
• Kretsdesign inom området ”radio and mixed signal”
• Kiselkarbid för höga spänningar eller höga temperaturer i kretstillämpningar

Vår experimentella forskning förlitar sig på Elektrumlaboratoriet (en av Europas ledande halvledarlabb i universitetsmiljö), datorsimuleringsverktyg, samt elektrisk karakterisering och materialanalys inom institutionen.

Vi erbjuder ett antal simulerings-, komponent- och processteknologi-orienterade kurser på alla nivåer från kandidat och master till forskarutbildning. Våra färdiga doktorer fortsätter sina karriärer inom akademien eller hos marknadsledande multinationella företag över hela världen.

IEEE Electron Devices chapter seminars

NYTT: HOTSiC - High Temperature Power Electronic Systems with SiC Integrated Circuits